單晶爐定義：

    單晶爐是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設備。

    單晶爐的型號與命名：

    單晶爐型號有兩種命名方式，一種為投料量，一種為爐室直徑。比如85爐，是指主爐筒的直徑大小，120、150等型號是由裝料量來決定的

    技術要求：

    1.單晶爐裝料量（單臺機產(chǎn)能多少） 2. 能拉多長、幾寸的硅棒 3. 拉制晶棒的成品率是多少4拉出硅棒品質（少子壽命、電阻率、碳氧含量、位錯密度） 5設備制造工藝控制保證 6自動化控制程度 7設備主要關鍵部件的配置等 。

    1、穩(wěn)定的機架結構設計，增強了設備在晶體生長過程中的抗振動能力。

    2、優(yōu)化的液壓提升機構確保副爐室提升和復位時的運動平穩(wěn)性。 

    3、與主機分離的分水器設計，在減少冷卻水振動對晶體生長的影響的同時優(yōu)化了水路布局。 

    4、晶體和坩堝的提升采用雙電機結構，保證穩(wěn)定的低生長速度以及坩堝和籽晶的快速定位。 

    5、采用無振動的高性能馬達和低噪聲的減速器驅動晶體和坩堝上升，可提供穩(wěn)定的低生長速度。

    6、設備的真空條件和在真空下的可控惰性氣體氣流使得熱區(qū)清洗最佳化。氧化硅可以在不污染晶體和晶體驅動裝置的條件下排除。  

    7、帶隔離閥的副室可以在熱區(qū)保持工作溫度的情況下，取出長成的晶體或者更換籽晶。 

    8、對惰性氣體流量和爐室壓力高精度的控制能力，為生長高品質單晶創(chuàng)造了條件。 

    9、爐蓋和爐腔通過兩個提升裝置提升，很方便的轉向一邊快捷地清洗。

    10、熔化溫度通過對加熱器溫度的電控來維持和調節(jié)，加熱電源采用直流供電提高了控制精度。高品質的加熱器溫度測量傳感器實現(xiàn)了精確的溫度控制。

    12、整個晶體生長過程由一個高可靠的可編程計算機控制器（PCC）控制，包括抽真空、熔化、引晶縮頸、放肩、等經(jīng)生長和尾錐生長，晶體生長全過程可實現(xiàn)全自動（CCD）控制：。

    13、帶有數(shù)據(jù)和報警過程控制的可視化軟件，存儲在計算機的硬盤中。

    單晶爐在使用時，爐體處于高溫工作狀態(tài)，并要求各運動部件的運動穩(wěn)定可靠，精度高（尤其是坩堝驅動裝置和籽晶旋轉及提升機構），工作時間長。因此，在使用過程中，要注意設備的維護與保養(yǎng)。 

    坩堝驅動裝置 

    坩堝驅動裝置要求的運動精度比較高，是設備的核心運動部件，應重點維護。坩堝軸是石墨坩堝的支撐軸，應隨時檢查其冷卻水的情況，以免燒損。坩堝驅動采用滾珠絲杠和直線導軌結構，是坩堝驅動的關鍵部件，需保持清潔，嚴禁灰塵、雜物附著，并定期涂抹潤滑脂。

    籽晶旋轉及提升機構的維修 

    籽晶旋轉及提升機構也是單晶爐的關鍵部件，該部件運行的好壞直接影響單晶的生長。因此，也須重點維護。  卷輪箱是籽晶提升的核心，卷輪箱內的零件一般情況下不得隨意拆除，必須拆除時，重新安裝時必須保證軟軸對中。軟軸鋼絲繩在使用中不準有死彎現(xiàn)象，并在每次開爐時檢查鋼絲繩是否燒損，如有燒損應及時修整或更換新的鋼絲繩。

    其余部件的維修

    每次開單晶爐前應檢查水路系統(tǒng)是否暢通，水溫檢測傳感器安裝是否正常。發(fā)現(xiàn)有結垢時應及清理。在拉晶過程中，若發(fā)現(xiàn)水壓報警或漏水時要及時采取措施。  真空管道的過濾網(wǎng)每爐要清理一次，抽氣管道每20～30爐清理一次。